Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 2.92pF C(T), 15V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Thales Group |
包装说明 | O-XEMW-F2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 15 V |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 20% |
标称二极管电容 | 2.92 pF |
二极管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND |
JESD-30 代码 | O-XEMW-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | MICROWAVE |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 2000 |
最大反向电流 | 0.1 µA |
反向测试电压 | 10 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | END |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
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