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RUQ050N02_10

产品描述1.5V Drive Nch MOSFET
文件大小1MB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RUQ050N02_10概述

1.5V Drive Nch MOSFET

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1.5V Drive Nch MOSFET
RUQ050N02
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Features
1) Low On-resistance.
2) Space saving, small surface mount package (TSMT6).
3) 1.5V drive
Applications
Switching
Dimensions
(Unit : mm)
TSMT6
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : XG
Packaging
specifications
Package
Type
RUQ050N02
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
Inner
circuit
(6)
(5)
(4)
∗2
∗1
(1) Drain
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
(5) Drain
(6) Drain
(1)
(2)
(3)
∗1
ESD PROTECTION DIODE
∗2
BODY DIODE
Absolute
maximum ratings
(Ta=25C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
∗1
I
S
I
SP
∗1
P
D
∗2
Tch
Tstg
Limits
20
±10
±5.0
±10
1.0
10
1.25
150
−55
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
∗1
Pw 10μs, Duty cycle 1%
∗2
Mounted on a ceramic board
Thermal
resistance
Parameter
Channel to ambient
Mounted on a ceramic board
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
100
Unit
°C/W
www.rohm.com
c
2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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