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RB751V-40RR

产品描述0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小130KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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RB751V-40RR概述

0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RB751V-40RR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-45 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

RB751V-40RR相似产品对比

RB751V-40RR RB751V-40RRG RB751V-40_10
描述 0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor -
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS -
配置 SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 -
JESD-609代码 e3 e3 -
湿度敏感等级 1 1 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
最高工作温度 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -45 °C -45 °C -
最大输出电流 0.03 A 0.03 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED -
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W -
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V -
表面贴装 YES YES -
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY -
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie Matte Tin (Sn) -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED -

 
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