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AEPSZ8K40/818-35

产品描述SRAM Module, 8KX40, CMOS
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文件大小238KB,共2页
制造商Advanced Electronic Packaging
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AEPSZ8K40/818-35概述

SRAM Module, 8KX40, CMOS

AEPSZ8K40/818-35规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Electronic Packaging
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
JESD-30 代码R-XZMA-T73
内存密度327680 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度40
功能数量1
端口数量1
端子数量73
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
组织8KX40
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置ZIG-ZAG

AEPSZ8K40/818-35相似产品对比

AEPSZ8K40/818-35 AEPSZ8K40/818-25
描述 SRAM Module, 8KX40, CMOS SRAM Module, 8KX40, CMOS
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
JESD-30 代码 R-XZMA-T73 R-XZMA-T73
内存密度 327680 bit 327680 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 40 40
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 73 73
字数 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 8KX40 8KX40
可输出 YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG
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