TSM2301_08概述

2800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

2800 mA, 20 V, P沟道, 硅, 小信号, 场效应管

TSM2301_08规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
最小击穿电压	20 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量	1
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大环境功耗	0.9000 W
通道类型	P-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最大漏电流	2.8 A
最大漏极导通电阻	0.1300 ohm

	TSM2301_08	TSM2301CXRF
描述	2800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	2800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
端子数量	3	3
表面贴装	Yes	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
元件数量	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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