High Voltage NPN Transistor with Diode
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
Reach Compliance Code | compli |
最大集电极电流 (IC) | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 400 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小直流电流增益 (hFE) | 12 |
JEDEC-95代码 | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
TSC5304EDCHC5 | TSC5304EDCPRO | |
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描述 | High Voltage NPN Transistor with Diode | High Voltage NPN Transistor with Diode |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
最大集电极电流 (IC) | 4 A | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 400 V | 400 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小直流电流增益 (hFE) | 12 | 12 |
JEDEC-95代码 | TO-251 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
表面贴装 | NO | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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