80SQ05
80SQ05
Schottky Barrier Rectifier Diodes
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden
Version 2007-11-06
Nominal Current
Nennstrom
Ø 5.4
±0.2
8A
50 V
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
(~ DO-27)
1g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0.5
62.5
Ø 1.2
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
7.5
+1.0
Type
Grenz- und Kennwerte
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
1
)
I
F
= 5 A
I
F
= 8 A
< 0.55
< 0.50
80SQ05
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
... in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
A
= 75°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
j
T
S
8 A
1
)
30 A
2
)
155/180 A
132 A
2
s
-50...+150°C
≤ 200°C
-50...+175°C
1
1
T
j
= 25°C
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
80SQ05
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
R
= V
RRM
I
R
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 500 µA
< 20 mA
< 15 K/W
1
)
< 6 K/W
120
[%]
100
DC
Vr < 80% Vrrm
10
2
[A]
80SQ05
10
80
60
Vr < 50% Vrrm
1
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Umgebungstemp.
I
F
10
-2
0
0.4
0.6
1.0
V
F
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
2
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