MPSA92 / MPSA94
MPSA92 / MPSA94
PNP
Version 2009-05-07
Power dissipation
Verlustleistung
E BC
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
PNP
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
9
18
2 x 2.54
Dimensions / Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Base current – Basisstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CEO
- V
CBO
- V
EBO
P
to
t
- I
C
- I
B
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MPSA92
300 V
300 V
5V
625 mW
1
)
300 mA
100 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
MPSA94
400 V
400 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 200 V
I
E
= 0, - V
CB
= 160 V
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
B
= 0, - V
EB
= 3 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 20 mA, - I
B
= 2 mA
MPSA92
MPSA94
- V
CEsat
- V
CEsat
- V
BEsat
- I
EB0
MPSA92
MPSA94
- I
CB0
- I
CB0
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Max.
250 nA
250 nA
100 nA
500 mV
500 mV
0.9 V
–
–
–
–
–
–
–
–
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 20 mA, - I
B
= 2 mA
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
MPSA92 / MPSA94
Characteristics (Tj = 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- V
CE
= 10 V, - I
C
= 1 mA
- V
CE
= 10 V, - I
C
= 10 mA
- V
CE
= 10 V, - I
C
= 30 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- V
CE
= 20 V, - I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- V
CB
= 20 V, - I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
MPSA92
MPSA94
C
CB0
C
CB0
R
thA
–
–
< 200 K/W
2
)
MPSA42, MPSA44
7 pF
7 pF
f
T
–
70 MHz
–
1
Kennwerte (Tj = 25°C)
Typ.
Max.
h
FE
h
FE
h
FE
25
40
25
–
–
120
[%]
100
80
60
40
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature
1
)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
1
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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2
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