GBU8KD ... GBU8KG
GBU8KD ... GBU8KG
Protectifiers
®
– LowV
F
Bridge Rectifier with Overvoltage Protection
Protectifiers
®
– LowV
F
-Brückengleichrichter mit Überspannungsschutz
Version 2011-08-25
21.5
5.6
3.6
±0.2
±0.7
3.4
±0.1
Nominal current
Nennstrom
18.2
±0.2
8A
140 V, 280 V
20.8 x 3.3 x 18 [mm]
7g
5.3
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
1.7
±0.1
GBU ...
– ~ ~ +
1.8
2.2
0.5
+0.1
- 0.1
1.1
+0.2
5.08
Dimensions - Maße [mm]
Features
Low V
F
for reduced power losses
High inrush surge capability I
FSM
Reverse overvoltage protection P
PPM
UL Recognized Product – File E175067
Vorteile
Niedriges V
F
für reduzierte Verluste
Hoher Einschalt-Stromstoß I
FSM
Sperrseitiger Überspannungsschutz P
PPM
UL-anerkanntes Produkt – File Nr. E175067
Maximum ratings and Charactistics (T
J
= 25°C)
Type
Typ
GBU8KD
GBU8KG
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
V
VRMS
[V]
< 140
< 280
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
1
)
I
D
[µA] @ V
WM
[V]
<5
<5
190
380
Grenz- und Kennwerte (T
J
= 25°C)
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
V
BR
[V]
> 210
> 400
@ I
T
[mA]
1
1
Forward voltage
Fluss-Spannung
1
)
V
F
[V]
< 0.9
< 0.9
@ I
F
[A]
8
8
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
R
thC
60 A
2
)
300/330 A
450 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
< 3 K/W
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
M3
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
GBU8KD ... GBU8KG
Characteristics
ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge
ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung
Reverse Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung in Sperr-Richtung
Max. forward peak pulse current
Max. Impuls-Strom in Fluss-Richtung
C = 100pF
R = 1.5kΩ
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
PPM
I
FPM
Kennwerte
10 kV
800 W
120 A
10/1000µs pulse
1
)
10/1000µs pulse
1
)
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
T
j
= 125°C
80
10
T
j
= 25°C
60
40
1
I
F
10
-1
0.4
270a-(12a-1v)
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
t
r
= 10 µs
100
[%]
80
60
P
PPM
/2
I
PPM
/2
40
I
PP
20
P
PP
0
0
t
P
t
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
1
See curve I
PP
= f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve I
PP
= f (t) 10/1000µs
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© Diotec Semiconductor AG
2
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