ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½−Ｃ½½½½½½
□
回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
４００
Ａ，
６００Ｖ
ＰＲＨＭＢ４００Ａ６Ａ
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm½
□
最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
Ｉ½½½
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
CES
Ｖ
GES
ＤＣ
１½½
重量：500½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
６００
±２０
４００
８００
１，４７０
−４０∼＋１５０
−４０∼＋１２５
２,５００
３（３０.６）
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
(RMS)
Ｎ・½
(kgf½cm)
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
コ
コ
接
保
絶
レ
レ
ク
ク
合
存
縁
タ
タ
温
温
耐
電
損
流
失
度
度
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Ｉ
C
Ｉ
CP
Ｐ
C
Ｔ
j
Ｔ
stg
Ｖ
iso
Ｆ
tor
圧
(Terminal to Base AC,1minute)
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
□
Collector-Emitter Cut-Off Current
ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
Ｓ½½½½½ Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｉ
CES
Ｖ
CE
= 600V, Ｖ
GE
= 0V
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｉ
GES
Ｖ
CE(sat)
Ｖ
GE(th)
Ｃ
ies
上
昇
時
間 Rise
Time
Ｍ½½.
−
−
−
４.０
−
−
−
−
−
Ｔ½½.
−
−
２.１
−
40,000
０.２５
０.４５
０.２０
０.６０
Ｍ½½. Ｕ½½½
４.０
１.０
２.６
８.０
−
０.４５
０.８５
０.３５
０.８０
½Ａ
µＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
µ½
Gate-Emitter Leakage Current
Ｖ
GE
=
±20V,
Ｖ
CE
= 0V
Ｉ
C
= 400A, Ｖ
GE
= 15V
Ｖ
CE
= 5V, Ｉ
C
= 400mA
Ｖ
CES
= 10V, Ｖ
GE
= 0V,½= 1MHz
Ｖ
CC
Ｒ
L
Ｒ
G
Ｖ
GE
=
=
=
=
300V
0.75Ω
1.6Ω
±15V
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲートし きい値 電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
力
容
量
Input Capacitance
ス イ ッ チ ン グ 時 間
ターンオン時間 Turn-on Time
Switching Time
下 降 時 間 Fall
Time
ターンオフ時間 Turn-off Time
½
r
½
on
½
f
½
off
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
フリーホイーリングダイオードの
Ｉ½½½
Ｓ½½½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
Ｕ½½½
ＤＣ
Ｉ
F
４００
順
電
流
Ａ
Forward Current
１½½
Ｉ
FM
８００
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
電
圧
回
復
時
間
Ｓ½½½½½
Ｖ
F
½
rr
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
F
= 400A, Ｖ
GE
= 0V
Ｉ
F
= 400A, Ｖ
GE
= -10V
½i/½t = 400A/µs
Ｍ½½.
−
−
Ｔ½½.
１.９
Ｍ½½. Ｕ½½½
２.４
Ｖ
µ½
順
逆
□
Peak Forward Voltage
Reverse Recovery Time
０.１５ ０.２５
Thermal Impedance
熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
Ｓ½½½½½ Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
ＩＧＢＴ
熱
抵
抗
Ｒ
th(j-c)
Junction to Case
Ｄ ½ ½
½ ½
Ｍ½½.
−
−
Ｔ½½. Ｍ½½. Ｕ½½½
−
０.０８５
℃／Ｗ
−
０.２０
ＰＲＨＭＢ４００Ａ６Ａ
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
800
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=160A
800A
V
GE
=20V
12V
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
15V
10V
14
400A
12
10
8
6
4
2
0
Collector Current I
C
(A)
600
400
9V
200
8V
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
16
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
400
350
300
250
200
16
T
C
=125℃
I
C
=160A
800A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
400A
12
10
8
6
4
2
0
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
R
L
=0.75Ω
T
C
=25℃
14
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
12
10
8
V
CE
=300V
150
6
200V
100
50
0
0
300
600
900
1200
1500
100V
4
2
0
1800
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Total Gate Charge Qg
(nC)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
200000
100000
50000
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
1
0.9
0.8
Cies
Coes
Cres
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
V
CC
=300V
R
G
=1.6Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
Switching Time t
(μs)
Capacitance C
(pF)
20000
10000
5000
2000
1000
500
200
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
toff
ton
tr
tf
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
100
200
300
400
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
ＰＲＨＭＢ４００Ａ６Ａ
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
5
800
(Typical)
T
C
=25℃
700
600
2
V
CC
=300V
I
C
=400A
V
G
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=125℃
Switching Time t
(μs)
1
Forward Current I
F
(A)
500
400
300
200
100
0
toff
0.5
ton
tr
0.2
tf
0.1
0.05
1
2
5
10
20
50
0
1
2
3
4
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Forward Voltage V
F
(V)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
500
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
(Typical)
2000
1000
500
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
I
F
=400A
T
C
=25℃
trr
R
G
=1.6Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
200
200
Collector Current I
C
(A)
800
1200
1600
2000
2400
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
100
50
I
RrM
20
10
5
0
400
0.1
0
200
400
600
800
-di/dt
(A/μs)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.11- Transient Thermal Impedance
5x10
-1
FRD
(℃/W)
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
5x10
-4
2x10
-4
1x10
-4 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
IGBT
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
T
C
=25℃
1 Shot Pulse
1
10
1
Time t
(s)
京公网安备 11010802033920号
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