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2SD2308T105B

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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2SD2308T105B概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SD2308T105B规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)5000
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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