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10ETF04PBF

产品描述10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小194KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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10ETF04PBF概述

10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

10ETF04PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AC
包装说明R-PSFM-T2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用FAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流160 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.145 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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10ETF.. Soft Recovery Series
Vishay High Power Products
Fast Soft Recovery
Rectifier Diode, 10 A
FEATURES/DESCRIPTION
Base
cathode
2
The 10ETF.. fast soft recovery rectifier series has been
optimized for combined short reverse recovery time and low
forward voltage drop.
The glass passivation ensures stable reliable operation in
the most severe temperature and power cycling conditions.
This product series has been designed and qualified for
industrial level.
TO-220AC
1
Cathode
3
Anode
APPLICATIONS
PRODUCT SUMMARY
V
RRM
V
F
at 10 A
t
rr
200 to 600 V
< 1.2 V
50 ns
• Output rectification and
choppers and converters
freewheeling
in
inverters,
• Input rectifications where severe restrictions on conducted
EMI should be met
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
1 A, 100 A/µs
10 A, T
J
= 25 °C
Sinusoidal waveform
CHARACTERISTICS
VALUES
200 to 600
10
150
50
1.2
- 40 to 150
UNITS
V
A
ns
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PART NUMBER
10ETF02
10ETF04
10ETF06
V
RRM
, MAXIMUM PEAK REVERSE
VOLTAGE
V
200
400
600
V
RSM
, MAXIMUM NON-REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
V
300
500
700
2
I
RRM
AT 150 °C
mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average forward current
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current
Maximum I
2
t for fusing
Maximum I
2
√t
for fusing
SYMBOL
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
I
2
√t
TEST CONDITIONS
T
C
= 128 °C, 180° conduction half sine wave
10 ms sine pulse, rated V
RRM
applied
10 ms sine pulse, no voltage reapplied
10 ms sine pulse, rated V
RRM
applied
10 ms sine pulse, no voltage reapplied
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
VALUES
10
150
160
112.5
160
1600
A
2
s
A
2
√s
A
UNITS
Document Number: 93132
Revision: 04-Jun-08
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1

10ETF04PBF相似产品对比

10ETF04PBF 10ETF02PBF BFU725F_N1_15
描述 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC NPN wideband silicon germanium RF transistor
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
零件包装代码 TO-220AC TO-220AC -
包装说明 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
Base Number Matches 1 1 -

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