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43CTQ080G-1TRLPBF

产品描述20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小172KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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43CTQ080G-1TRLPBF概述

20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA

43CTQ080G-1TRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-262AA
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流275 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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VS-43CTQ...GSPbF, VS-43CTQ...G-1PbF Series
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 20 A
VS-43CTQ...GS
VS-43CTQ...G-1
FEATURES
175 °C T
J
operation
Center tap configuration
Low forward voltage drop
High purity, high temperature epoxy
encapsulation for enhanced mechanical
strength and moisture resistance
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long
term reliability
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
AEC-Q101 qualified
Base
common
cathode
2
Common
cathode
2
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
D
2
PAK
TO-262
DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier series has been optimized
for very low reverse leakage at high temperature. The
proprietary barrier technology allows for reliable operation
up to 175 °C junction temperature. Typical applications are
in switching power supplies, converters, freewheeling
diodes, and reverse battery protection.
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
V
R
2 x 20 A
80 V/100 V
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs sine
20 Apk, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
40
80/100
850
0.67
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
VS-43CTQ080GSPbF
VS-43CTQ080G-1PbF
80
VS-43CTQ100GSPbF
VS-43CTQ100G-1PbF
100
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average
forward current
See fig. 5
per leg
I
F(AV)
per device
5 μs sine or 3 μs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
Following any rated load
condition and with rated
V
RRM
applied
50 % duty cycle at T
C
= 135 °C, rectangular waveform
40
A
Maximum peak one cycle non-repetitive
surge current per leg
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
850
275
7.5
0.5
mJ
A
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
20
UNITS
T
J
= 25 °C, I
AS
= 0.5 A, L = 60 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Document Number: 94222
Revision: 23-Mar-10
For technical questions, contact:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
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