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30BQ100PBF_10

产品描述4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小110KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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30BQ100PBF_10概述

4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB

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VS-30BQ100PbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 3 A
FEATURES
• Small foot print, surface mountable
• Very low forward voltage drop
• High frequency operation
Cathode
Anode
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
• Designed and qualified for industrial level
SMC
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
V
R
3.0 A
100 V
DESCRIPTION
The VS-30BQ100PbF surface mount Schottky rectifier has
been designed for applications requiring low forward drop
and small foot prints on PC boards. Typical applications are
in disk drives, switching power supplies, converters,
freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery
protection.
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs sine
3.0 Apk, T
J
= 125 °C
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
3.0
100
800
0.62
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
VS-30BQ100PbF
100
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average forward current
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current
Non-repetitive avalanche energy
Repetitive avalanche current
SYMBOL
I
F(AV)
TEST CONDITIONS
50 % duty cycle at T
L
= 148 °C, rectangular waveform
50 % duty cycle at T
L
= 138 °C, rectangular waveform
5 μs sine or 3 μs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1.0 A, L = 6 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM
applied
VALUES
3.0
4.0
800
70
3.0
0.5
mJ
A
A
UNITS
Document Number: 94181
Revision: 04-Mar-10
For technical questions, contact:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
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