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20ETF10PBF

产品描述20 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小226KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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20ETF10PBF概述

20 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

20ETF10PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AC
包装说明R-PSFM-T2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.31 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流355 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.4 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

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VS-20ETF..PbF Soft Recovery Series
Vishay High Power Products
Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A
FEATURES
Base
cathode
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF
maximum peak of 260 °C
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
• Designed and qualified for industrial level
APPLICATIONS
TO-220AC
1
Cathode
3
Anode
• Output rectification and freewheeling in inverters,
choppers and converters
• Input rectifications where severe restrictions on
conducted EMI should be met
PRODUCT SUMMARY
V
F
at 20 A
I
FSM
V
RRM
< 1.31 V
355 A
800 to 1200 V
DESCRIPTION
The VS-20ETF..PbF fast soft recovery rectifier series has
been optimized for combined short reverse recovery time
and low forward voltage drop.
The glass passivation ensures stable reliable operation in
the most severe temperature and power cycling conditions.
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
1 A, 100 A/μs
20 A, T
J
= 25 °C
Range
Sinusoidal waveform
CHARACTERISTICS
VALUES
800 to 1200
20
355
95
1.31
- 40 to 150
UNITS
V
A
ns
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PART NUMBER
VS-20ETF08PbF
VS-20ETF10PbF
VS-20ETF12PbF
V
RRM
, MAXIMUM PEAK
REVERSE VOLTAGE
V
800
1000
1200
V
RSM
, MAXIMUM NON-REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
V
900
1100
1300
6
I
RRM
AT 150 °C
mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average forward current
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current
Maximum I
2
t for fusing
Maximum I
2
√t
for fusing
SYMBOL
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
I
2
√t
TEST CONDITIONS
T
C
= 97 °C, 180° conduction half sine wave
10 ms sine pulse, rated V
RRM
applied
10 ms sine pulse, no voltage reapplied
10 ms sine pulse, rated V
RRM
applied
10 ms sine pulse, no voltage reapplied
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied
VALUES
20
300
355
450
635
6350
A
2
s
A
2
√s
A
UNITS
Document Number: 94098
Revision: 27-Apr-10
For technical questions, contact:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1

20ETF10PBF相似产品对比

20ETF10PBF 20ETF08PBF 20ETF12PBF
描述 20 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 20 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 20 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-220AC TO-220AC TO-220AC
包装说明 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
Base Number Matches 1 1 1
其他特性 FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY - FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用 FAST SOFT RECOVERY - FAST SOFT RECOVERY
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.31 V - 1.3 V
JEDEC-95代码 TO-220AC - TO-220AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 - R-PSFM-T2
JESD-609代码 e3 - e3
最大非重复峰值正向电流 355 A - 355 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
最大输出电流 20 A - 20 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE - NOT APPLICABLE
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V - 1200 V
最大反向恢复时间 0.4 µs - 0.4 µs
表面贴装 NO - NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie - Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE - NOT APPLICABLE
ECCN代码 - EAR99 EAR99

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