256KX16 STANDARD SRAM, 100ns, PBGA48, TFBGA-48
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Seiko Epson Corporation |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA, |
针数 | 48 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 100 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
长度 | 10 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 48 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.2 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 8 mm |
S1M0W046B0J1 | S1M0W046B0J7 | |
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描述 | 256KX16 STANDARD SRAM, 100ns, PBGA48, TFBGA-48 | 256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48 |
厂商名称 | Seiko Epson Corporation | Seiko Epson Corporation |
零件包装代码 | BGA | BGA |
包装说明 | VFBGA, | VFBGA, |
针数 | 48 | 48 |
Reach Compliance Code | unknown | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 100 ns | 70 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 |
长度 | 10 mm | 10 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 48 | 48 |
字数 | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 256KX16 | 256KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm | 1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.2 V | 3 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 2.2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 0.75 mm | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 8 mm | 8 mm |
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