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TN5834PM

产品描述10 MHz - 100 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, SM3, 4 PIN
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小68KB,共1页
制造商Spectrum Microwave
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TN5834PM概述

10 MHz - 100 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, SM3, 4 PIN

TN5834PM规格参数

参数名称属性值
厂商名称Spectrum Microwave
Reach Compliance Codeunknown
其他特性I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造COMPONENT
增益18.7 dB
最大输入功率 (CW)18 dBm
最大工作频率100 MHz
最小工作频率10 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-55 °C
射频/微波设备类型NARROW BAND MEDIUM POWER
最大电压驻波比2

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RF AMPLIFIER
MODEL
TM5834PM
Features
!
Superior Phase Noise Performance
!
High Gain: 19.7 dB Typical
!
High Power: +27.5 dBm Typical
!
Operating Temp. - 55 ºC
to +85
ºC
!
Environmental Screening Available
Available as:
TM5834PM, 4 Pin TO-8 (T4)
TN5834PM, 4 Pin Surface Mount (SM3)
BX5834PM, Connectorized Housing (H1)
Typical Intermodulation Performance at 25 º C
Second Order Harmonic Intercept Point........+58 dBm (Typ.)
Second Order Two Tone Intercept Point.........+52 dBm (Typ.)
Third Order Two Tone Intercept Point.............+40 dBm (Typ.)
Maximum Ratings
Ambient Operating Temperature .............. -55ºC to + 100 ºC
Storage Temperature ............................... -62ºC to + 125 ºC
Case Temperature ................................................. + 125 ºC
DC Voltage ......................................................... + 18 Volts
Continuous RF Input Power ................................. + 18 dBm
Short Term RF Input Power ........... 100 mW (1 Minute Max.)
Maximum Peak Power .................... 0.5 Watt (3
µsec
Max.)
Specifications
CHARACTERISTIC
Frequency
Gain (dB)
Power @ 1 dB
Comp. (dBm)
Reverse
Isolation (dB)
VSWR
In
Out
Noise figure (dB)
Power
Vdc
mA
TYPICAL
Ta= 25 ºC
10 - 100 MHz
19.7±0.5
+27.5
- 25
1.7:1
1.3:1
<3.5
+15
135
MIN/MAX
Ta = -55 ºC to +85 ºC
10 - 100 MHz
18.7 Min./20.7 Max.
+26
- 24
2.0:1
2.0:1
4.5
+15
145
Min.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Guaranteed Phase Noise Performance
(dBc/Hz)
Frequency
100 Hz
1 kHz
10 kHz
100 kHz
1 MHz
Typical
162
172
176
176
176
Guarantee (min.)
158
168
172
172
172
*
Note: Care should always be taken to effectively ground the case of each unit.
Typical Performance Data
22
21
20
19
18
+29
+28
+27
+26
+25
Start 10
2.0
1.5
1.0
Start 10
MHz
Start 10 MHz
Stop 100 MHz
Gain (dB)
0
-10
- 20
- 30
- 40
5
4
3
2
1
2.0
1.5
1.0
Start 10
Reverse Isolation (dB)
-130
-140
-150
Start 10 MHz
Stop 100 MHz
-160
-170
-180
-190
Start 10 MHz
Stop 100 MHz
Residual Phase Noise (dBc/Hz)
1 dB Comp. (dBm)
Noise Figure (dB)
100
1K
10K
100K
Input VSWR
Stop 100 MHz
Output VSWR
_______Guarantee __ __ __ Typical
Residual Phase Noise Test
*
Power Output: +27.5 dBm
Conditions:
Carrier Frequency: 70 MHz
MHz
Stop 100 MHz
MHz
Stop 100 MHz
!
!
!
Temperature: 25 ºC
!
Agilent ES5500 System
Legend
+ 25 ºC
+ 85 ºC - - - - - - -55 ºC
Linear S-Parameters
FREQ.
– – – – S11– – – –
– – – – S12– –
– – – – S22– –
MHz
Mag
Deg
Mag
Deg
Mag
Deg
Mag
Deg
=========================================================================================================
- 54
5
.21
8.79
-127
-124
.34
.04
72
- 29
10
.16
9.89
-157
-157
.14
.05
40
- 27
20
.16
10.12
-175
-178
.09
.05
26
- 50
50
.19
10.11
164
160
.09
.05
18
- 72
75
.21
10.00
151
145
.09
.05
12
- 91
.24
9.84
139
132
.09
.05
5
100
-126
.32
9.26
116
108
.06
.06
-6
150
2707 Black Lake Place, Philadelphia, PA 19154
TEL 215-464-4000
· · · ·
FAX 215-464-4001
3/31/04

TN5834PM相似产品对比

TN5834PM BX5834PM TM5834PM
描述 10 MHz - 100 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, SM3, 4 PIN 10 MHz - 100 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, H1 10 MHz - 100 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, T4, TO-8, 4 PIN
厂商名称 Spectrum Microwave Spectrum Microwave Spectrum Microwave
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造 COMPONENT COAXIAL COMPONENT
增益 18.7 dB 18.7 dB 18.7 dB
最大输入功率 (CW) 18 dBm 18 dBm 18 dBm
最大工作频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
最小工作频率 10 MHz 10 MHz 10 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
射频/微波设备类型 NARROW BAND MEDIUM POWER NARROW BAND MEDIUM POWER NARROW BAND MEDIUM POWER
最大电压驻波比 2 2 2
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