Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-66 |
| 包装说明 | TO-66, 2 PIN |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
| JEDEC-95代码 | TO-66 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN (315) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
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