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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHF540STR-E3
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SIHF540STR-E3

产品描述28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小178KB，共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHF540STR-E3概述

28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

28 A, 100 V, 0.077 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

SIHF540STR-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）230 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)28 A
最大漏极电流 (ID)28 A
最大漏源导通电阻0.077 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)110 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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IRF540S, SiHF540S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
100
V
GS
= 10 V
72
11
32
Single
0.077
FEATURES
D
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• Surface Mount
• Available in Tape and Reel
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• 175 °C Operating Temperature
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
2
PAK (TO-263)
DESCRIPTION
G
G D
S
S
N-Channel MOSFET
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The D
2
PAK (TO-263) is a surface mount power package
capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides
the highest power capability and the lowest possible
on-resistance in any existing surface mount package. The
D
2
PAK (TO-263) is suitable for high current applications
because of its low internal connection resistance and can
dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.
D
2
PAK (TO-263)
SiHF540STRL-GE3
a
IRF540STRLPbF
a
SiHF540STL-E3
a
D
2
PAK (TO-263)
SiHF540STRR-GE3
a
IRF540STRRPbF
a
SiHF540STR-E3
a
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
D
2
PAK (TO-263)
SiHF540S-GE3
IRF540SPbF
SiHF540S-E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
C
= 25 °C, unless otherwise noted
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB Mount)
e
Single Pulse Avalanche Energy
b
Avalanche Current
a
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)
e
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
Current
a
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
100
± 20
28
20
110
1.0
0.025
230
28
15
150
3.7
5.5
- 55 to + 175
300
d
UNIT
V
A
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
for 10 s
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 25 V, starting T
J
= 25 °C, L = 440 μH, R
g
= 25
,
I
AS
= 28 A (see fig. 12).
c. I
SD
28 A, dI/dt
170 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 91022
S11-1046-Rev. D, 30-May-11
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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描述 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 4 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 28 A 28 A 28 A 28 A 28 A 28 A 28 A
最大漏极电流 (ID) 28 A 28 A 28 A 28 A 28 A 28 A 28 A
最大漏源导通电阻 0.077 Ω 0.077 Ω 0.077 Ω 0.077 Ω 0.077 Ω 0.077 Ω 0.077 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 240 260 260 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A 110 A 110 A 110 A 110 A 110 A 110 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 40 40 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 e3 e0 e3 - e3 - -
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) - -

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热门器件

  1. SKN141F_10
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  3. 4572B-11
  4. KH11055100J0G
  5. WS5.5-5X
  6. 73610-45-56
  7. FMZS50P14SG1
  8. MSMBG130CATR
  9. AME8501CEFTCD28
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  11. BZX84B6V2_R2_00001
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