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SB320

产品描述3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SB320概述

3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

SB320规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS, FREE WHEELING
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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SB320 thru SB360
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifier
FEATURES
• Guardring for overvoltage protection
• Very small conduction losses
• Extremely fast switching
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• High frequency operation
DO-201AD
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
max.
3.0 A
20 V to 60 V
120 A
0.49 V, 0.68 V
125 °C, 150 °C
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at 0.375" (9.5 mm) lead length (fig. 1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
- 65 to + 125
- 65 to + 150
SB320
20
14
20
SB330
30
21
30
SB340
40
28
40
3.0
120
- 65 to + 150
SB350
50
35
50
SB360
60
42
60
UNIT
V
V
V
A
A
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward voltage
Maximum instantaneous reverse current
at rated DC blocking voltage
TEST CONDITIONS SYMBOL
3.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
V
F (1)
I
R (1)
SB320
SB330
0.49
0.5
mA
20
10
SB340
SB350
SB360
UNIT
V
0.68
Note
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
Document Number: 88719
Revision: 19-Oct-09
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
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