SI3586DV_09,SI3586DV_09 pdf中文资料,SI3586DV_09引脚图,SI3586DV

SI3586DV_09: 产品描述2900 mA, 20 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小116KB，共9页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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SI3586DV_09概述

2900 mA, 20 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

2900 mA, 20 V, N和P沟道, 硅, 小信号, 场效应管

参数名称	属性值
端子数量	6
最小击穿电压	20 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, TSOP-6
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量	1
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
通道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最大漏电流	2.9 A
最大漏极导通电阻	0.0600 ohm

	SI3586DV_09	SI3586DV
描述	2900 mA, 20 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	2900 mA, 20 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
端子数量	6	6
最小击穿电压	20 V	20 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, TSOP-6	ROHS COMPLIANT, TSOP-6
无铅	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes
中国RoHS规范	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN	MATTE TIN
端子位置	DUAL	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
通道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最大漏电流	2.9 A	2.9 A
最大漏极导通电阻	0.0600 ohm	0.0600 ohm

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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