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SI7629DN

产品描述35 A, 20 V, 0.0046 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小579KB,共13页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7629DN概述

35 A, 20 V, 0.0046 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

35 A, 20 V, 0.0046 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管

SI7629DN规格参数

参数名称属性值
端子数量5
最小击穿电压20 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状SQUARE
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层PURE MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料UNSPECIFIED
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型P-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流35 A
额定雪崩能量20 mJ
最大漏极导通电阻0.0046 ohm
最大漏电流脉冲80 A

 
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