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SI7106DN

产品描述12.5 A, 20 V, 0.0062 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小78KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7106DN概述

12.5 A, 20 V, 0.0062 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

12.5 A, 20 V, 0.0062 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

SI7106DN规格参数

参数名称属性值
端子数量5
最小击穿电压20 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状SQUARE
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料UNSPECIFIED
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流12.5 A
额定雪崩能量45 mJ
最大漏极导通电阻0.0062 ohm
最大漏电流脉冲60 A

 
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