电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SIR640DP

产品描述60 A, 40 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小35KB,共1页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SIR640DP概述

60 A, 40 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

60 A, 40 V, 0.0022 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

SIR640DP规格参数

参数名称属性值
端子数量5
最小击穿电压40 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料UNSPECIFIED
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流60 A
额定雪崩能量80 mJ
最大漏极导通电阻0.0022 ohm
最大漏电流脉冲100 A

文档预览

下载PDF文档
Package Information
www.vishay.com
Vishay Siliconix
PowerPAK
®
SO-8, (Single/Dual)
H
W
M
1
2
2
D1
D
3
4
L1
E3
θ
θ
L
E2
E4
K
D4
θ
1
2
Z
D2
e
D
D5
3
4
θ
b
b
L
1
D1
2
K1
D5
3
D2
4
A1
c
Detail Z
Notes
1. Inch will govern.
2 Dimensions exclusive of mold gate burrs.
3.
Dimensions exclusive of mold flash and cutting burrs.
D2
D3 (2x) D4
2
E1
E
A
Backside View of Single Pad
H
K
E2
E4
E3
Backside View of Dual Pad
DIM.
A
A1
b
c
D
D1
D2
D3
D4
D5
E
E1
E2
E3
E4
e
K
K1
H
L
L1
W
M
MILLIMETERS
MIN.
0.97
0.33
0.23
5.05
4.80
3.56
1.32
NOM.
1.04
-
0.41
0.28
5.15
4.90
3.76
1.50
0.57 typ.
3.98 typ.
6.15
5.89
3.66
3.78
0.75 typ.
1.27 BSC
1.27 typ.
-
0.61
0.61
0.13
-
0.25
0.125 typ.
MAX.
1.12
0.05
0.51
0.33
5.26
5.00
3.91
1.68
MIN.
0.038
0
0.013
0.009
0.199
0.189
0.140
0.052
INCHES
NOM.
0.041
-
0.016
0.011
0.203
0.193
0.148
0.059
0.0225 typ.
0.157 typ.
0.242
0.232
0.144
0.149
0.030 typ.
0.050 BSC
0.050 typ.
-
0.024
0.024
0.005
-
0.010
0.005 typ.
MAX.
0.044
0.002
0.020
0.013
0.207
0.197
0.154
0.066
6.05
5.79
3.48
3.68
6.25
5.99
3.84
3.91
0.238
0.228
0.137
0.145
0.246
0.236
0.151
0.154
0.56
0.51
0.51
0.06
0.15
-
0.71
0.71
0.20
12°
0.36
0.022
0.020
0.020
0.002
0.006
-
0.028
0.028
0.008
12°
0.014
ECN: S17-0173-Rev. L, 13-Feb-17
DWG: 5881
Revison: 13-Feb-17
1
Document Number: 71655
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

SIR640DP相似产品对比

SIR640DP SIRA16DP-T1-GE3
描述 60 A, 40 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
双缓冲技术
怎样吧下面一段代码实现双缓冲 void Bckgnd(HDC h_destDC) { CWnd * pParent; CRect wndRect; int width; int height; pParent = this->GetParent(); CDC *pDC = ......
hjd85 嵌入式系统
C2000 CSM使用方法
本帖最后由 fish001 于 2020-7-5 16:26 编辑 在TI C2000系列DSP中,CSM模块用于对给芯片进行加密,以防止未经授权的代码逆向等行为,TI在其文档中对此模块的说明如下: The code securi ......
fish001 微控制器 MCU
锂电池可不可以长时间恒定小电流充电?
锂电池可不可以长时间恒定小电流充电?好像镍氢电池可以,电流小到一定程度就可以长时间甚至永远这么充电不知道锂电池是什么情况?是否恒定电流小到一定程度是否也就可以永远充着不用关断?怎样 ......
wangfuchong 电源技术
三路信号比较
现在有三路输入信号需要相互比较,这三路信号都是频率相同方波,比较分两个状态: 状态一:三路信号相同 状态二:两路相同,另外一路相反 程序如下: if(cyc_count==8) { GIE=0; // ......
问渠 嵌入式系统
嵌入式C语言中头文件的引用问题
78884 用的STM32的库文件 在source文件夹中还有一个文件夹sys,里面放了两个文件 sys.h 和sys.c 在Keil编译器中头文件引用时如下 #include "stm32f10x_lib.h"#include "..\sys\sys.h" 编 ......
紫电 嵌入式系统
请问谁有5529的读写例程吗
请问谁有5529的读写例程吗?有的话分享下啊,不胜感激。邮箱:l0700830216@126.com...
l0700830216 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2876  1788  2727  2342  198  4  11  25  48  19 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved