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SIR878DP

产品描述40 A, 100 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小943KB,共13页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIR878DP概述

40 A, 100 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

40 A, 100 V, 0.014 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

SIR878DP规格参数

参数名称属性值
端子数量5
最小击穿电压100 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流40 A
额定雪崩能量20 mJ
最大漏极导通电阻0.0140 ohm
最大漏电流脉冲80 A

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