VIT2060C,VIT2060C pdf中文资料,VIT2060C引脚图,VIT2060C电路-Datasheet-电子工程世界

VIT2060C: 产品描述Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier; 文件大小128KB，共5页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

下载文档选型对比全文预览

VIT2060C概述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

	VIT2060C	VIT2060C-M3-4W	VIT2060CHM3-4W	VT2060C	VT2060CHM3-4W
描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

想在模拟电路板块发布帖子，为什么不成功呢？: 本来想在模拟电路板块分享一些我个人的设计经验。但是写好的文件怎么传不上来？请大家指导一下，谢谢！...; 韬创服务模拟电子

glomosim安装中出现的问题: 按照前人的步骤做的,向环境变量中增加一些值之类的都做到了,链接到最后(即到了radiorange那一步)时总会出现不能打开main.obj错误,就是在parsec的runtime文件夹中不能生成main.obj文件不明白为什么若有高人指导,万分感谢...; linliuh 嵌入式系统

[转贴]煮茶论英雄---闲情话"制程设计技术": 本人从事 power 制造,已有八年,在这之中从 open frame(裸板单体),adapter(适配器),PC(个人电脑类),server(伺服器),D2D convertor(直流转换器),到通讯电源模块制程,都有接触过,从量产机种的维护,到新产品承接,直至今日制程设计,有些心得,想与大家交流,交流... 想必在这"清闲斋",有很多象我这样从事于制程方面的工程师,在电路设计方面才入门,而一时...; zbz0529 电源技术

电路参数对静态工作点的影响: 电路参数对静态工作点的影响　三极管的β=80 实验内容： 1.保持Rc和UCC不变，仅改变Rb时（设Rc=3kΩ，UCC=12V） Rb分别为10MΩ、560kΩ、280kΩ、100kΩ，测量静态值，观察静态工作点的变化。 Rb=10MΩ：IBQ=1.141μA，ICQ=109.9μA，UCEQ=11.67V，Q点接近截止区，此时ICQ ≠βIBQ； Rb=560kΩ：IBQ=20.24μA，I...; fighting 模拟电子

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ