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15KP28

产品描述15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小473KB,共3页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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15KP28概述

15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

15KP28规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称New Jersey Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性LOW ZENER IMPEDANCE, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压31.1 V
击穿电压标称值31.1 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压52.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散15000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散7 W
最大重复峰值反向电压28 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

15KP28相似产品对比

15KP28 15KP170C
描述 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknown
其他特性 LOW ZENER IMPEDANCE, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY LOW ZENER IMPEDANCE, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压 31.1 V 189 V
击穿电压标称值 31.1 V 189 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大钳位电压 52.4 V 304 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散 15000 W 15000 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 7 W 7 W
最大重复峰值反向电压 28 V 170 V
表面贴装 NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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