8M X 8 FLASH 2.7V PROM, 8.5 ns, PDSO16
8M × 8 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, 8.5 ns, PDSO16
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Winbond(华邦电子) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | 0.208 INCH, GREEN, SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最大时钟频率 (fCLK) | 80 MHz |
数据保留时间-最小值 | 20 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
长度 | 5.28 mm |
内存密度 | 67108864 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64MX1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.3 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.16 mm |
串行总线类型 | SPI |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最大压摆率 | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 5.28 mm |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
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