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C-IXGD25N100

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小163KB,共1页
制造商IXYS
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C-IXGD25N100概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel

C-IXGD25N100规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接COLLECTOR
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-XUUC-N5
元件数量1
端子数量5
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
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