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US1F

产品描述High Efficient Rectifier 高效整流二极管
产品类别分立半导体   
文件大小127KB,共2页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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US1F概述

High Efficient Rectifier 高效整流二极管

1 A, 100 V, 硅, 信号二极管, DO-214交流

功能特点

产品名称:High Efficient Rectifier 高效整流二极管


产品型号:US1F


产品特征:


Io :1.0A


VRRM :50V-1000V


耐正向浪涌电流能力高


High surge current capability



用途 :


整流用Rectifier



产品数据:


Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 反向重复峰值电压 :300V



Average Forward Current IF(AV) 正向平均电流:1.0A



Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM 正向(不重复)浪涌电流:30A



Junction Temperature TJ 结温 :-55 to +125 ℃



Storage Temperature TSTG储存温度 :-55 to +150 ℃



Peak Forward Voltage (IFM=1.0A) VFM 正向峰值电压 :1.3V



Peak Reverse Current (VRM=VRRM) IRRM1 (Ta=25℃) 反向峰值电流 :5μA


IRRM2 (Ta=125℃) 反向峰值电流 :50μA



Reverse Recovery time (IF=0.5A, IR=1A, IRR=0.25A) trr 反向恢复时间 :50ns



Thermal Resistance (Typical) RθJ-A 热阻(典型) :55 ℃/W ;RθJ-L 热阻(典型) :25 ℃/W



封装: SMA-W


US1F规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料, SMA, 2 PIN
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0500 us
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流1 A

US1F文档预览

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US1A THRU US1M
高效整流二极管
High Efficient Rectifier
■特征
Features
■外½尺寸和印记
SMA-W
.181(4.60)
.157(4.00)
.104(2.65)
.095(2.40)
Outline Dimensions and Mark
Mounting Pad Layout
0.065
(1.66)
0.080
(2.04)
0.077(1.96)
●I
o
1.0A
●VRRM
50V-1000V
●耐正向浪涌电流½力高
●High
surge current capability
.205(5.20)
.189(4.80)
■用途
Applications
.089(2.25)
.096(2.45)
●整流用
Rectifier
.059(1.50)
.031(0.80)
.004(0.10)
.007(0.20)
.064(1.63)
.050(1.27)
0.220
(5.58)
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
正向平均电流
Average Forward Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward
Current
结温
Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature
符号
Symb
ol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
单½
Unit
V
A
条件
Conditions
1A
50
正弦半波
60Hz,电阻负½½,Ta=50
60Hz Half-sine wave, Resistance
load, Ta=50℃
正弦半波
60Hz,
一个周期,
Ta=25℃
60Hz Half-sine wave,1 cycle,
Ta=25℃
US
1B
100
1D
200
1F
300
1G
400
1J
600
1K
1M
800 1000
1.0
30
-55~+125
-55 ~ +150
A
■电特性
(Ta=25℃ 除非另有规定)
Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
反向恢复时间
Reverse Recovery time
热阻(典型)
Thermal
Resistance(Typical)
符号
Symbol
V
FM
I
RRM1
I
RRM2
t
rr
R
θ
J-A
单½
Unit
V
μA
ns
测试条件
Test Condition
I
FM
=1.0A
V
RM
=V
RRM
Ta=25℃
US
1A
1.0
1B
1D
1F
1.3
5
50
1G
1J
1.7
1K
1M
/W
R
θ
J-L
Ta=125℃
I
F
=0.5A I
R
=1A
I
RR
=0.25A
结和环境之间
Between junction and ambient
结和引线之间
Between junction and lead
50
55
25
75
Document Number 0143
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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