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TSM4946D

产品描述60V Dual N-Channel MOSFET
文件大小239KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSM4946D概述

60V Dual N-Channel MOSFET

TSM4946D相似产品对比

TSM4946D TSM4946DCSRL TSM4946DCSRLG
描述 60V Dual N-Channel MOSFET 60V Dual N-Channel MOSFET 60V Dual N-Channel MOSFET
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code - compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
其他特性 - ULTRA-LOW RESISTANCE ULTRA-LOW RESISTANCE
配置 - SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) - 4.5 A 4.5 A
最大漏源导通电阻 - 0.055 Ω 0.055 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
湿度敏感等级 - 3 3
元件数量 - 2 2
端子数量 - 8 8
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 30 A 30 A
表面贴装 - YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 30
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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