60V Dual N-Channel MOSFET
TSM4946D | TSM4946DCSRL | TSM4946DCSRLG | |
---|---|---|---|
描述 | 60V Dual N-Channel MOSFET | 60V Dual N-Channel MOSFET | 60V Dual N-Channel MOSFET |
是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
厂商名称 | - | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code | - | compli | compli |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | - | ULTRA-LOW RESISTANCE | ULTRA-LOW RESISTANCE |
配置 | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | - | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | - | 4.5 A | 4.5 A |
最大漏源导通电阻 | - | 0.055 Ω | 0.055 Ω |
FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
湿度敏感等级 | - | 3 | 3 |
元件数量 | - | 2 | 2 |
端子数量 | - | 8 | 8 |
工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | - | 260 | 260 |
极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 30 A | 30 A |
表面贴装 | - | YES | YES |
端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 30 | 30 |
晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved