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21DQ03

产品描述1.7 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小138KB,共1页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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21DQ03概述

1.7 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

21DQ03规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.49 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流85 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流1.7 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流13000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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