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MAP6KE8.2

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, T-18, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小273KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MAP6KE8.2概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, T-18, 2 PIN

MAP6KE8.2规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压9.02 V
最小击穿电压7.38 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压6.6 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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