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GBU8D

产品描述8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小151KB,共2页
制造商DACHANG
官网地址http://www.dachang.com.cn
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GBU8D概述

8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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SIYU
R
塑封硅整流桥堆
反向电压
50---1000V
正向电流
8 A
GBU
GBU8A ...... GBU8M
Single-phase Silicon Bridge Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000V
Forward Current 8 A
特征
Features
·反向漏电流½
Low reverse leakage
High forward surge capability
Surge
overload rating: 150 Amperes peak
·正向浪涌承受½力较强
·浪涌承受½力:150A
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据
Mechanical Data
·封装:
塑料封装
Case: Molded Plastic
·极性:
标记模压或印于本½
Polarity: Symbols molded or marked on body
Unit:inch(mm)
·安装½½:
任意
Mounting Position: Any
·安装扭距:
推荐值
0.3牛*米
Mounting torque:
Recommend 0.3 N*m
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
GBU
Symbols
8A
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
TC =100℃
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
GBU
8B
100
70
100
GBU GBU
8D
8G
200
140
200
400
280
400
8
150
8.6
GBU GBU
8J
8K
600
420
600
800
560
800
GBU
8M
1000
700
1000
单½
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
50
35
50
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55--- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
GBU
8A
GBU
8B
GBU GBU
8D
8G
1.1
10
500
40
GBU GBU
8J
8K
GBU
8M
单½
Unit
V
μA
I
F
= 4.0A
TA= 25℃
TA = 125℃
V
F
最大反向电流
Maximum reverse current
典型结电容
V
R
=
4.0V, f = 1MHz
Type junction capacitance
I
R
Cj
pF
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS

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