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RU80190R

产品描述N-Channel Advanced Power MOSFET
文件大小493KB,共12页
制造商Ruichips
官网地址http://www.ruichips.com/
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RU80190R概述

N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU80190R
N-Channel Advanced Power MOSFET
MOSFET
Features
• 80V/190A,
R
DS (ON)
=3.1
mΩ
(Type) @ V
GS
=10V,
I
DS
=80A
Ultra Low On-Resistance
Exceptional dv/dt capability
Fast Switching and Fully Avalanche Rated
100% avalanche tested
175°C Operating Temperature
• Lead Free and Green Available
Pin Description
TO-220
TO-220F
TO-263
TO-247
Applications
Switching Application Systems
Inverter Systems
N-Channel MOSFET
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
80
±25
175
-55 to 175
T
C
=25°C
190
Unit
Common Ratings
(T
A
=25°C Unless Otherwise Noted)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
STG
I
S
I
DP
I
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Diode Continuous Forward Current
V
°C
°C
A
Mounted on Large Heat Sink
300μs Pulse Drain Current Tested
Continuous Drain Current
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
R
θJC
720
A
A
190
Maximum Power Dissipation
Thermal Resistance-Junction to Case
T
C
=25°C
T
C
=100°C
140
250
125
0.6
W
°C/W
Drain-Source Avalanche Ratings
E
AS
Avalanche Energy, Single Pulsed
1300
mJ
Copyright© Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– NOV., 2010
www.ruichips.com
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