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RU4DS

产品描述2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小119KB,共2页
制造商DACHANG
官网地址http://www.dachang.com.cn
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RU4DS概述

2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

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SIYU
R
阻尼二极管
反向电压
1300V
正向电流
3.0 A
DO-27
RU4DS
Damper Diodes
Reverse voltage1300V
Forward current 3.0A
特征
Features
·反向漏电流½
Low reverse leakage
High forward surge capability
·正向浪涌承受½力强
25.4
MIN
1.3±0.1
9.2±0.2
5.2±0.2
25.4
MIN
·高温焊接保证
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10
秒,
0.375" (9.5mm)引线长度。
260℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5 lbs. (2.3kg) tension
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据
Mechanical Data
·端子: 镀锡½向引线
Terminals: Plated axial leads
·极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
·安装½½: 任意
Mounting Position: Any
Unit:mm
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Symbols
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.
RU4DS
1300
1050
1300
3.0
50
单½
Unit
V
V
V
A
A
V
RRM
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
Typical thermal resistance
15
℃/W
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55 --- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
RU4DS
1.3
10
500
300
65
单½
Unit
V
μA
nS
pF
IF = 3.0A
TA= 25℃
TA=100℃
I
F
=0.5A I
R
=1.0A I
RR
=0.25A
V
F
I
R
trr
C
j
最大反向电流
Maximum reverse current
最大反向恢复时间
MAX. Reverse Recovery Time
典型结电容
Type junction capacitance
V
R
= 4.0V, f = 1MHz
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
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