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CY7C1347D-200BGC: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, FBGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小349KB，共21页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C1347D-200BGC概述

Cache SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, FBGA-119

CY7C1347D-200BGC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

CY7C1347D-200BGC相似产品对比

	CY7C1347D-200BGC	CY7C1347D-166BGC	CY7C1347D-225AC	CY7C1347D-225ACT
描述	Cache SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, FBGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, FBGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA	BGA	QFP	QFP
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, FBGA-119	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	LQFP,
针数	119	119	100	100
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns	3.5 ns	2.5 ns	2.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
长度	22 mm	22 mm	20 mm	20 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1
端子数量	119	119	100	100
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	2.4 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	QUAD
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	-
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	-
最大压摆率	0.36 mA	0.3 mA	0.4 mA	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

CY7C1347D-200BGC

CY7C1347D-200BGC概述

CY7C1347D-200BGC规格参数

CY7C1347D-200BGC相似产品对比

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