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W-IXTD12N90-L

产品描述Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB,共1页
制造商IXYS
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W-IXTD12N90-L概述

Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

W-IXTD12N90-L规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N7
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏源导通电阻0.9 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N7
元件数量1
端子数量7
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
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