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MMBT4403

产品描述600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小371KB,共3页
制造商HTSEMI( Jin Yu Semiconductor )
官网地址http://www.htsemi.com
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MMBT4403在线购买

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MMBT4403概述

600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236

600 mA, 40 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236

MMBT4403规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大导通时间255 ns
最大关断时间35 ns
最大集电极电流0.6000 A
最大集电极发射极电压40 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-3
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管元件材料
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数20
额定交叉频率200 MHz

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MMBT4403
TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Switching transistor
MARKING
:MMBT4403=2T
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-40
-40
-5
-0.6
0.3
150
-55-150
Units
V
V
V
A
W
1.
BASE
2.
EMITTER
3.
COLLECTOR
SOT-23
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Test
conditions
MIN
-40
-40
-5
-0.1
-0.1
-0.1
100
300
-0.4
-0.95
200
V
V
MHz
MAX
UNIT
V
V
V
μA
μA
μA
I
C
=-100μA , I
E
=0
I
C
= -1mA , I
B
=0
I
E
=-100μA, I
C
=0
V
CB
=-35V, I
E
=0
V
CE
=-35 V, I
B
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-2V, I
C
= -150mA
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA
I
C
=- 150mA, I
B
=-15mA
V
CE
= -10V, I
C
= -20mA
f
T
f =
100MHz
1 
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
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