电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

GVD90002-000

产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to C Band, 26pF C(T), 12V, Silicon, Hyperabrupt, DIE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共1页
制造商Sprague Goodman
下载文档 详细参数 全文预览

GVD90002-000概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to C Band, 26pF C(T), 12V, Silicon, Hyperabrupt, DIE

GVD90002-000规格参数

参数名称属性值
厂商名称Sprague Goodman
零件包装代码DIE
包装说明DIE
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压12 V
配置SINGLE
标称二极管电容26 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO C BAND
JESD-30 代码X-XUUC-N
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
认证状态Not Qualified
最小质量因数500
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
变容二极管分类HYPERABRUPT

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 56  69  379  1212  1381 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved