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SN74LS601ADWR

产品描述SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20
产品类别存储    存储   
文件大小203KB,共8页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SN74LS601ADWR概述

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20

SN74LS601ADWR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SOP,
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDSO-G20
长度12.8 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度1
功能数量1
端子数量20
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术TTL
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.5 mm

SN74LS601ADWR相似产品对比

SN74LS601ADWR SN74LS603ADWR SN74LS600ADWR
描述 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SOP, SOP, SOP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDSO-G20 R-PDSO-G20
长度 12.8 mm 12.8 mm 12.8 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 16384 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 1 1 1
功能数量 1 1 1
端子数量 20 20 20
字数 65536 words 65536 words 16384 words
字数代码 64000 64000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX1 64KX1 16KX1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm 2.65 mm 2.65 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 TTL TTL TTL
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm
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