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SBL20H60RF

产品描述VOLTAGE 60V 20.0 Amp Low VF Schottky Barrier Rectifiers
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小299KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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SBL20H60RF概述

VOLTAGE 60V 20.0 Amp Low VF Schottky Barrier Rectifiers

SBL20H60RF规格参数

参数名称属性值
厂商名称SECOS
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.57 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流120 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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SBL20H60RF
Elektronische Bauelemente
VOLTAGE 60V
20.0 Amp Low VF Schottky Barrier Rectifiers
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen free
FEATURES
Superlow forward voltage drop
Low reverse current
High current capability
High reliability
High surge current capability
Epitaxial construction
ITO-220
B
N
D
E
M
A
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic
Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant
Lead: Lead solderable per MIL-STD-202
method 208 guaranteed
Polarity: As Marked
Mounting position: Any
Weight: 1.98 g (Approximate)
H
J
K
L
Millimeter
Min.
Max.
14.60
15.70
9.50
10.50
12.60
14.00
4.30
4.70
2.30
3.2
2.30
2.80
0.30
0.70
C
G
F
REF.
H
J
K
L
M
N
Millimeter
Min.
Max.
2.70
3.80
0.90
1.50
0.50
0.90
2.34
2.74
2.40
3.00
φ
3.0
φ
3.4
L
1
3
REF.
2
A
B
C
D
E
F
G
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, de-rate current by 20%.)
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current
(Per Leg)
(Per Device)
Symbol
V
RRM
V
RSM
V
DC
I
F
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JC
dv/dt
T
J
T
STG
Rating
60
60
60
10
20
200
0.57
0.52
0.12
10
620
8
10000
-50 ~ 150
-50 ~ 150
Unit
V
V
V
A
A
V
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
Superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance
2
Voltage Rate of Chance (Rated V
R
)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES:
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 5.0V D.C.
2. Thermal Resistance Junction to Case.
3. Pulse Test:Pulse Width = 300
μs,
Duty Cycle
2.0%.
http://www.SeCoSGmbH.com/
3
(I
F
= 10 A, T
J
= 25°C, per leg)
(I
F
= 10 A, T
J
= 125°C, per leg)
T
J
=25°C
T
J
=100°C
mA
pF
°C /W
V /
μs
°C
°C
Typical Junction Capacitance
1
Any changes of specification will not be informed individually.
1-Aug-2011 Rev. A
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