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GBL02

产品描述4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小789KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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GBL02概述

4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBL005 ~ GBL10
Elektronische Bauelemente
Voltage 50V ~ 1000V
4.0 Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Surge overload rating - 125 amperes peak
Ideal for printed circuit board
The plastic material has Underwriters Laboratory
flammability classification 94V-0
Mounting position: Any
2GBJ
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min.
Max.
19.6
20.6
10.7
11.2
3.4
3.6
12.7
14.2
2.5x 45°
2.3
2.7
REF.
G
H
I
J
K
Millimeter
Min.
Max.
1.3
1.5
0.9
1.1
0.9
1.14
0.38
0.51
4.8
5.3
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, de-rate current by 20%.)
Part Number
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
1
@T
A
=50°C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half
Sine-Wave Super Imposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage @ 4A DC
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage @T
J
=100°C
Operating and Storage temperature range
Notes:
1. Mounting conditions,0.5″lead length maximum.
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
GBL
005
GBL
01
GBL
02
GBL
04
GBL
06
GBL
08
GBL
10
Unit
V
V
V
A
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
4
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
T
J
,T
STG
125
1.1
10
A
V
µA
1000
-55~150
°C
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changes of specification will not be informed individually.
19-Oct-2011 Rev. A
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