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CYT5554D

产品描述SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE NPN/PNP SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小539KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CYT5554D概述

SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE NPN/PNP SILICON TRANSISTORS

CYT5554D规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压220 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CYT5554D
SURFACE MOUNT
DUAL, ISOLATED
COMPLEMENTARY
HIGH VOLTAGE
NPN/PNP SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CYT5554D type
consists of one (1) NPN high voltage silicon transistor
and one (1) complementary PNP high voltage silicon
transistor packaged in an epoxy molded SOT-228
surface mount case. Manufactured by the epitaxial
planar process, this SUPERmini™ device is ideal for
high voltage applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-228 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
NPN (Q1)
250
220
6.0
600
PNP (Q2)
250
220
7.0
600
2.0
-65 to +150
62.5
UNITS
V
V
V
mA
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN (Q1)
PNP (Q2)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX
MIN MAX
ICBO
VCB=120V
-
50
-
50
ICBO
IEBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
VCB=120V, TA=100°C
VBE=3.0V
VBE=4.0V
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA,
IC=50mA,
IC=10mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IB=1.0mA
-
-
-
250
220
6.0
-
-
-
-
120
120
75
25
50
-
50
-
-
-
75
100
1.00
1.00
-
300
-
-
-
-
-
250
220
7.0
-
-
-
-
100
100
75
25
50
50
-
-
-
-
100
150
1.00
1.00
-
300
-
-
UNITS
nA
μA
nA
nA
V
V
V
mV
mV
V
V
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=150mA
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