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CYT4033D

产品描述SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED PNP SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小537KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CYT4033D概述

SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED PNP SILICON TRANSISTORS

CYT4033D规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CYT4033D
SURFACE MOUNT
DUAL, ISOLATED
PNP SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CYT4033D type
consists of two (2) isolated PNP silicon transistors
packaged in an epoxy molded SOT-228 surface mount
case. This SUPERmini™ device is manufactured by
the epitaxial planar process.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-228 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
W
°C
°C/W
80
80
5.0
1.0
1.5
2.0
-65 to +150
62.5
CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VCB=60V
50
VEB=5.0V
10
IC=10µA
IC=10mA
IE=10µA
IC=150mA,
IC=500mA,
IC=150mA,
IB=15mA
IB=50mA
IB=15mA
75
100
70
25
100
20
110
300
80
80
5.0
0.15
0.50
0.90
1.10
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
IC=500mA, IB=50mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=500mA
VCE=5.0V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=50mA, f=1.0MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
MHz
pF
pF
R1 (23-February 2010)

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