电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

C1Z50B

产品描述50 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小197KB,共2页
制造商Central Semiconductor
下载文档 详细参数 全文预览

C1Z50B概述

50 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-15

C1Z50B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-15
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压50 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流5.1 mA
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
C1Z3.3B THRU C1Z91B
SILICON ZENER DIODE
3.3 VOLTS THRU 91 VOLTS
1.0 W, 5% TOLERANCE
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR C1Z3.3B Series
Silicon Zener Diode is a high quality epoxy molded
voltage regulator designed for use in industrial,
commercial, entertainment and computer applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-15 CASE
MAXIMUM RATINGS:
Power Dissipation (TA=50°C)
Operating and Storage Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
1.0
-65 to +150
UNITS
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=1.0V MAX @ IF=500mA (for all types)
Zener Voltage
Type
MIN
V
C1Z3.3B
C1Z3.6B
C1Z3.9B
C1Z4.3B
C1Z4.7B
C1Z5.1B
C1Z5.6B
C1Z6.2B
C1Z6.8B
C1Z7.5B
C1Z8.2B
C1Z9.1B
C1Z10B
C1Z11B
C1Z12B
C1Z13B
C1Z14B
C1Z15B
C1Z16B
C1Z17B
C1Z18B
C1Z19B
C1Z20B
C1Z22B
C1Z24B
C1Z25B
C1Z27B
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
VZ @ IZT
NOM
V
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
Test Current
IZT
MAX
V
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
mA
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
18
17
15.5
14.8
14
13.3
12.5
11.5
10.5
10.2
9.5
Maximum Reverse
Leakage Current
IR @ VR
μA
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.4
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.6
R0 (29-July 2009)

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1090  2334  2290  1898  1129  12  35  28  24  26 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved