Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> C106D2

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C106D2: 产品描述4 A, 400 V, SCR; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小252KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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C106D2概述

4 A, 400 V, SCR

4 A, 400 V, 可控硅整流器

C106D2规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SFM
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
外壳连接	ANODE
标称电路换相断开时间	40 µs
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	0.2 mA
最大直流栅极触发电压	0.8 V
最大维持电流	3 mA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0
最大漏电流	0.1 mA
通态非重复峰值电流	20 A
元件数量	1
端子数量	3
最大通态电流	2400 A
最高工作温度	110 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	4 A
断态重复峰值电压	400 V
重复峰值反向电压	400 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

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C106B2

C106D2

C106M2

SENSITIVE GATE

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

4 AMP, 200 THRU 600 VOLTS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR C106B2 Series

types are 4.0A, PNPN sensitive gate triggering silicon

controlled rectifiers with voltages ranging from 200V

to 600V. These devices are designed for applications

such as temperature, light and speed control, and

remote warning and triggering applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-202-2 THYRISTOR CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TC=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

C106B2

Peak Repetitive Off-State Voltage

VDRM, VRRM

200

RMS On-State Current (TC=85°C)

IT(RMS)

Peak One Cycle Surge Current, t=8.3ms

Value for Fusing

Peak Gate Power Dissipation (TC=80°C)

Average Gate Power Dissipation (TC=80°C)

Peak Forward Gate Current (TC=80°C)

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

Thermal Resistance

ITSM

PGM

PG(AV)

IGFM

Tstg

C106D2

400

4.0

1.65

0.5

0.1

0.2

-40 to +110

-40 to +150

7.5

TYP

MAX

100

2.2

200

500

0.4

0.5

0.8

1.0

3.0

6.0

2.0

5.0

7.0

8.0

C106M2

600

UNITS

°C

°C/W

UNITS

μA

V/μs

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TJ=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

IDRM, IRRM

Rated VDRM, VRRM, RGK=1.0KΩ

IDRM, IRRM

Rated VDRM, VRRM, RGK=1.0KΩ, TJ=110°C

VTM

IT=4.0A

IGT

VGT

dv/dt

VD=6.0V, RL=100Ω

VD=6.0V, RL=100Ω, TJ=–40°C

VD=6.0V, RL=100Ω

VD=6.0V, RL=100Ω, TJ=–40°C

VD=12V

VD=12V,

TJ=–40°C

TJ=110°C

VD=12V

VD=12V, TJ=–40°C

VD=Rated VDRM, RGK=1.0KΩ, TJ=110°C

R0 (15-February 2011)

C106D2相似产品对比

	C106D2	C106B2	C106M2
描述	4 A, 400 V, SCR	4 A, 400 V, SCR	4 A, 400 V, SCR
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SFM	SFM	SFM
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	TO-202, 3 PIN	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	_compli	_compli	_compli
外壳连接	ANODE	ANODE	ANODE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大直流栅极触发电流	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	110 °C	110 °C	110 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	4 A	4 A	4 A
断态重复峰值电压	400 V	200 V	600 V
重复峰值反向电压	400 V	200 V	600 V
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR	SCR
标称电路换相断开时间	40 µs	40 µs	-
最大直流栅极触发电压	0.8 V	0.8 V	-
最大维持电流	3 mA	3 mA	-
最大漏电流	0.1 mA	0.1 mA	-
通态非重复峰值电流	20 A	20 A	-
最大通态电流	2400 A	2400 A	-
厂商名称	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor

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