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RJQ6022DPM

产品描述600V - 10A - IGBT High Speed Power Switching
文件大小76KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJQ6022DPM概述

600V - 10A - IGBT High Speed Power Switching

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Preliminary Datasheet
RJQ6022DPM
600V - 10A - IGBT
High Speed Power Switching
Features
High speed switching
Low on-state voltage
Built in fast recovery diode in one package
R07DS0651EJ0100
Rev.1.00
Jan 23, 2012
Outline
PRSS0005ZB-A)
(Package name: TO-3PFM)
IGBT1
Diode1
1
1. Gate (1)
2. Collector (1)
3. Emitter (1), Collector (2)
4. Emitter (2)
5. Gate (2)
2
IGBT2
Diode2
5
12
34
3
5
4
Absolute Maximum Ratings
IGBT1, IGBT2
Item
Collector to emitter voltage / diode reverse voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Collector peak current
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
μs,
duty cycle
1%
2. PW
5
μs,
duty cycle
1%
Symbol
V
CES
/ V
R
V
GES
I
C
I
C
I
C(peak) Note1
Tj
Tstg
Ratings
600
±30
20
10
40
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
°C
°C
Diode1, Diode2
Item
Maximum reverse voltage
Continuous forward current
Peak surge forward current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
I
F
I
FSM
Tj
Tstg
Ratings
600
10
20
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
A
A
°C
°C
R07DS0651EJ0100 Rev.1.00
Jan 23, 2012
Page 1 of 3
在ModelSimSE中添加ALTERA仿真库的详细步骤(1)
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