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NE72000L

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小172KB,共6页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NE72000L概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE72000L规格参数

参数名称属性值
厂商名称California Eastern Labs
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压5 V
最大漏极电流 (ID)0.15 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

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