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TPM4130

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小134KB,共3页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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TPM4130概述

RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

TPM4130规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性DIFFUSED BALLAST RESISTORS
最大集电极电流 (IC)10 A
基于收集器的最大容量70 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值210 W
最小功率增益 (Gp)7.2 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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